收藏本站
IXTV250N075T
IXTV250N075TS
53
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
55
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
50
47
44
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
V DS = 37.5V
50
45
T J = 25oC
41
38
35
32
I D = 50A
40
35
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
V DS = 37.5V
29
26
I D = 25A
30
25
T J = 125oC
23
20
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
200
85
53
102
180
t r
t d(on) - - - -
80
52
t f
t d(off) - - - -
98
160
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 50A, 25A
75
51
50
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 37.5V
94
90
140
120
70
65
49
48
86
82
100
80
60
40
60
55
50
45
47
46
45
44
43
I D = 50A
I D = 25A
78
74
70
66
62
42
58
20
0
40
35
41
40
54
50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
56
100
240
390
54
52
50
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 37.5V
95
90
85
220
200
180
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 25A
360
330
300
48
80
160
270
46
75
140
120
I D = 50A
240
210
44
42
40
38
36
T J = 25oC, 125oC
70
65
60
55
50
100
80
60
40
20
180
150
120
90
60
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_250N075T (6V) 8-31-08-A.xls
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTV280N055TS MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD
IXTV36N50PS MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD
IXTV96N25T MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
IXTX110N20L2 MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
IXTX17N120L MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
IXTX24N100 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
IXTX90N25L2 MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247
IXTY08N100D2 MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
相关代理商/技术参数
IXTV250N075TS 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV26N50P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV26N50PS 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV26N60P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV26N60PS 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV280N055T 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV280N055TS 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube